Produktbeschreibung
-Galliumoxid/Ga2O3, allgemein bekannt als Galliumoxid, stand in den letzten Jahren im Fokus der Halbleiterbranche und markiert ein neues Kapitel in der vierten Generation von Halbleitern. Im Labor erzielen Forscher weiterhin auffällige Durchbrüche, und auch das Tempo der Massenproduktion und Kommerzialisierung beschleunigt sich weiter.
Galliumoxid hat eine gute chemische und thermische Stabilität mit einer Bandlückenbreite von 4,7-4,9 eV und einer kritischen Durchbruchsfeldstärke von 8 MV/cm (viel höher als der theoretische Grenzwert von 2,5 MV/cm für SiC und 3,3 MV/cm). MV für GaN/cm), die Elektronenmobilität beträgt 250 cm2/V·s und es weist eine starke transparente Leitfähigkeit auf. Der Baliga-Gütefaktor liegt bei über 3000 und ist damit um ein Vielfaches höher als bei GaN- und SiC-Materialien.
-Ga2O3hat auch breite Anwendungsaussichten im Bereich der Detektion von sonnenblindem Ultraviolett (200–280 nm). Die Bandlückenbreite von Galliumoxid beträgt 4,8-4,9 eV und die entsprechende Absorptionsbandkante liegt bei etwa 250 nm. Es sind keine Legierungsprozesse ähnlich wie bei AlGaN und ZnMgO erforderlich. Es ist ein ideales Material für die Herstellung sonnenblinder UV-Detektoren.
Galliumoxid ( -Ga2O3) Kristall hat stabile chemische Eigenschaften, korrodiert nicht leicht, hat eine hohe mechanische Festigkeit, stabile Leistung bei hohen Temperaturen und eine hohe sichtbare und ultraviolette Transparenz. Es ist besonders im ultravioletten und blauen Lichtbereich transparent. Dies ist ein traditionelles transparentes leitfähiges Material. Daher kann ein -Ga2O3-Einkristall eine neue Generation transparenter leitfähiger Materialien werden und in Solarzellen und der Flachbildschirmtechnologie eingesetzt werden. Die Leitfähigkeit von -Ga2O3-Einkristallen ändert sich mit Veränderungen in der Umgebung und kann in der Gasdetektionstechnologie verwendet werden.
Produktparameter
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Galliumoxid-Einkristallsubstrat |
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Größe |
2" und individuell angepasst |
5 mm * 5 mm % 7b % 7b 2 % 7d % 7 dmm * 20 mm |
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Flugzeuge |
<001>,<100> |
<-201>,<010> |
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Abweichung |
<1° or customized declination angle |
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Dicke |
650 ± 50 μm oder kundenspezifisch |
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Leitfähigkeitstyp |
N, halbisoliert |
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Widerstand |
<1ω•cm>1x1010Ω•cm |
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XRD halbe maximale Breite |
<150arcsec |
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Oberflächenrauheit Ra |
<0.5nm |
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Galliumoxid-Epitaxiewafer |
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• Galliumoxid-Substrat |
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Größe |
2" und individuell angepasst |
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Flugzeuge |
<001>oder individuell angepasst |
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Dotierstoff |
Si, Sn, Fe |
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Dicke |
650 ± 50 μm oder kundenspezifisch |
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XRD halbe maximale Breite |
<150arcsec |
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• Homoepitaktische Schicht aus Galliumoxid |
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Dotierstoff |
UID oder Si |
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Trägerkonzentration |
2x1016-1x1018 |
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TDicke |
5-20μm |
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Vorteile von Galliumoxid:
Große Bandlücke:Galliumoxid hat eine große Bandlücke von etwa 4,8-4,9 Elektronenvolt, was es für Anwendungen wie UV-Detektoren und Stromversorgungsgeräte vorteilhaft macht.
Hochtemperaturstabilität:Dank seiner guten Hochtemperaturstabilität kann es in Umgebungen mit bis zu 1200 Grad Celsius eingesetzt werden und eignet sich daher für Anwendungsszenarien mit hohen Temperaturen, hoher Leistung und hoher Frequenz.
Hohe Durchschlagsfeldstärke:Galliumoxid hat eine hohe elektrische Durchschlagsfeldstärke und wird daher häufig in Hochspannungsgeräten eingesetzt.
Gute optische Eigenschaften:gute optische Transparenz in einem breiten Wellenlängenbereich von Ultraviolett bis Infrarot.
Gute chemische Stabilität:Galliumoxid weist eine hohe chemische Stabilität bei Raumtemperatur und -druck auf und weist eine gute Toleranz gegenüber vielen Säuren und Basen auf.
Aufgrund dieser Eigenschaften verfügt Galliumoxid über ein breites Anwendungspotenzial in den Bereichen Leistungselektronik, Optoelektronik, Photokatalyse, Gassensoren und anderen Bereichen.
Produktanwendung
Galliumoxid kann in Sensorchips zur Strahlungsdetektion in den Bereichen Kommunikation, Radar, Luft- und Raumfahrt, Hochgeschwindigkeitszüge, Fahrzeuge mit neuer Energie und anderen Bereichen verwendet werden. Insbesondere in Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenzgeräten weist Galliumoxid eine höhere Leistung auf als Siliziumkarbid und Galliumnitrid. Es gibt in vielerlei Hinsicht größere Vorteile.
Leistungsgeräte aus Galliumoxid sind Produkten aus Siliziumkarbid und Galliumnitrid hinsichtlich Leistung, Kosten und Anwendungsbereich überlegen. Es wird erwartet, dass Galliumoxid in den nächsten zehn Jahren, da die Nachfrage steigt, Kohlenstoff und Nitrid schrittweise ersetzen wird. Galliumoxid und andere Halbleitermaterialien der dritten Generation.
Anwendungen und Funktionen
Faserdotierung Galliumoxid
Batteriematerialien Galliumoxid
Festkörperbatterie Galliumoxid
Halbleiter Galliumoxid
Kristall Galliumoxid
Keramik Galliumoxid
Dünnschichtwissenschaft und -technologie Galliumoxid
Verpackungslieferung
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Bieten Ihnen kostengünstige Produkte
Professionelle Verpackung und Echtheitsgarantie
Arbeiten Sie mit Integrität und stellen Sie Rechnungen aus
Schnelle Logistik und sichere Lieferung
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Häufig gestellte Fragen
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